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单晶材料蓝宝石单晶中的位错缺陷

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单晶材料蓝宝石单晶中的位错缺陷

发布日期:2019-11-04 00:00 来源:http://chumies.com 点击:

近年来宽禁带(Eg>2.3V)半导体材料发展十分迅速,称为第三代电子材料。主要包括SiC、金刚石、GaN等。同一、二代电子材料相比,第三代电子材料具有禁带宽度大,电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好等特点,单晶材料非常适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。利用其禁带宽度,还可以制作蓝绿光和紫外光的发光器件和光探测器件。

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