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硅单晶定向中硅材料的位错

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硅单晶定向中硅材料的位错

发布日期:2019-09-10 11:11 来源:http://chumies.com 点击:

在实际应用的硅单晶定向材料的晶格中,总是存在着偏离理想情况的各种复杂现象。存在着各种形式的缺陷。按着缺陷,晶体空间分布尺寸的情况可以分为点缺陷、线缺陷、面缺陷等,这里主要讨论硅单晶体中的位错和硅外延片中的层错。  

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硅的结构是金刚石型,它由两套面心立方格子套构而成,因此它们具有的位错型式比上述的简单模型复杂得多。在硅单晶材料滚球体育晶体中产生的位错绝大部分位于(111)晶面族上。其滑移方向为[110],我们称这时产生的位错为特征位错。 



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